澳门威尼克斯人网站以后3D NAND要堆多少层？一直对3D NAND要堆多少层有执念，或许和痴迷过叠大楼游戏有关澳门威尼克斯人网站澳门威尼克斯人网站，即便是简单的叠高楼游戏，也很考验人的耐心和定力，堆叠更是一门技术活了。事实上，闪存发展史从堆叠角度也可以看到一些变化：从1967年浮栅MOSFET出现到2008年，闪存都是基于2D NAND，2008年，东芝开发了3D NAND结构的BICS，2013年，三星正式推出24层3D V-NAND，并在FMS上展示了1TB SSD，平房变高楼，此刻，属于3D NAND的“叠叠乐”时代才正式开始。

　　从最初的24层开始，到32层，再到64层，大约经过三四年时间澳门威尼克斯人网站澳门威尼克斯人网站，2017年前后，96层NAND开始出现，之后进入百层时代，128层、144层、212层、238层…到2023年，一些厂商都要卷300层+了，但这个300层是不是线层其实不一定。

　　在这场3D NAND技术竞赛里，堆叠层数被视为其中一个制高点。大家堆得层数越来越高，方法却不尽相同。目前市场上有两种堆叠方式：字符串堆叠（ String stack）和单一堆叠（Single stack）。

　　单一堆叠（Single stack）相当于原生垂直堆叠1xx+，仅一道工序，有成本优势。但制程复杂度随层数攀升不断加大，蚀刻和沉积最终可能导致裸片良品率下降，包括交叠层厚薄不均、蚀刻不彻底（打孔未到达底部）、弯曲、扭曲及线宽变化。还有其间电子垂直通过的迁移率也在随层数增加而更加不可控。

　　而字符串堆叠（ String stack澳门威尼克斯人网站澳门威尼克斯人网站，目前主要指双层堆叠），制程复杂度相对较低，只要拥有48层或者64层技术，那么就可以实现96（2*48）层、128（2*64）层，还降低了打孔的蚀刻深度，良品率不会受到影响，但需要两道工序，会增加30％+的成本。

　　另外还有长江存储，另辟蹊径的Xstacking技术，是一种晶圆键合（Wafer bonding）而非堆栈方式。一片晶圆上加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，另一片晶圆上加工存储单元，最终通过数百万根金属VIA(垂直互联通道)将二者键合接通电路。近年来也有其他厂商开始使用类似的方式。

　　当然，大家为了追求更高层数，很更倾向于字符串堆叠，推出速度快，容量更大，层数还高。

　　如今随着AI、5G、物联网等新兴技术的发展，我们对高容量、高性能存储需求激增，会推动3D NAND层数继续增加。

　　未来几年，在出现可替代的存储新介质之前，3D NAND的堆叠层数应该还会继续攀升，400层甚至更高层的3D NAND可能成为出现，而混合使用字符串堆叠和晶圆键合技术，进一步提升存储容量和性能也将继续。

　　8月28日，全球闪存峰会将在南京召开，大会也将共同探讨3D NAND技术的发展趋势与未来走向，期待大家的积极参与，共同推动闪存技术的蓬勃发展。